Графен стремительно ворвался в разные области техники совсем недавно. Его свойства все еще изучаются и некоторые из них пока не имеют четкого научного обоснования. (описание графена). Однако это не мешает проектировать устройства на его базе. Samsung, в частности, проектирует энергонезависимую память, в основе которой свойства Graphene Quantum Dots (GQDs) - фрагменты графена малой величины (порядка 20 нм), в которых проявляется квантовый эффект.
Хранение заряда в графеновом фрагменте более надежно, чем в кремнии - как делается сейчас, поскольку менее чувствительно к локальным дефектам материала. К тому же размер "ячейки хранения" дает потенциал к увеличению плотности памяти.
Исследования Samsung показали, что в зависимости от размера элемента несколько меняются свойства ячейки. Ячейка с 12 нм GQDs, например, показывает самую высокую скорость записи, в то время как 27 нм ячейка имеет самую высокую скорость стирания и большую стабильность.
Компания имеет на руках первый в мире реальный прототип устройства.
http://www.graphene-info.com/samsung-developed-graphene-quantum-dots-based-flash-memory-devices
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/ppsc.201300252/full
Исследования Samsung показали, что в зависимости от размера элемента несколько меняются свойства ячейки. Ячейка с 12 нм GQDs, например, показывает самую высокую скорость записи, в то время как 27 нм ячейка имеет самую высокую скорость стирания и большую стабильность.
Компания имеет на руках первый в мире реальный прототип устройства.
http://www.graphene-info.com/samsung-developed-graphene-quantum-dots-based-flash-memory-devices
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/ppsc.201300252/full
Комментариев нет:
Отправить комментарий