7 апреля 2014 SK Hynix Inc. анонсировала 128-гигабайтный модуль DDR4 DIMM.
Память производится из 8Gb чипов с нормой производства 20nm, упаковываемых по 3D технологии Through Silicon Via (TSV).
Модуль рассчитан на работу с частотой до 2133Mb/s при ультра-низком напряжении 1.2V.
Дело за малым - дождаться соответствующих процессоров и платформ (недолго уж осталось).
http://www.statschippac.com/TSV
http://www.skhynix.com/en/pr_room/news-data-view.jsp?search.seq=2329&search.gubun=0014
Память производится из 8Gb чипов с нормой производства 20nm, упаковываемых по 3D технологии Through Silicon Via (TSV).
Модуль рассчитан на работу с частотой до 2133Mb/s при ультра-низком напряжении 1.2V.
Дело за малым - дождаться соответствующих процессоров и платформ (недолго уж осталось).
http://www.statschippac.com/TSV
http://www.skhynix.com/en/pr_room/news-data-view.jsp?search.seq=2329&search.gubun=0014
Комментариев нет:
Отправить комментарий