среда, 27 августа 2014 г.

Seagate поднял планку до 8TB

    Докатились потихоньку до 8-терабайтных НЖМД. 26 августа 2014 Seagate анонсировал первый в мире 8TB HDD.
    Целевая аудитория - публичные и частные центры обработки данных.

http://www.seagate.com/about/newsroom/press-releases/Seagate-ships-worlds-first-8TB-hard-drives-pr-master/

четверг, 21 августа 2014 г.

Ну, понеслась!... Стартовал переход на Intel Xeon v3

    Как неотвратимо-неожиданно в России наступает зима, так и неумолимо наступает "время ТИК" и "дата ТАК". Что из них что - мало кто помнит. Я тоже постоянно забываю. "Тик" - переход на новые нормы производства собственно процессора. "Так" - смена платформы процессора. Значит, сейчас ТАК.

    Intel назначил на 28 августа 2014 вебинар, пре-презентующий выход процессоров Xeon E5-2600/1600 v3 (кличка Grantley). Как только компания даст отмашку и официально презентует выход новой линии процессоров, начнется забег. Все производители инфраструктуры - материнских плат, соответствующих корпусов и пр. уже выстроились на линии старта, разминаются.

    Не залезая в область, ограниченную обязательствами нераскрытия информации, несколько штрихов из уже "засвеченного". Список и таблички можно найти здесь.
++
- число ядер растет. Минимум 6, максимум 18
- поддерживается более быстрая память -  DDR4-2133/2400/3200
- кэш увеличен до 45МБ
--
- потребление процессором вырастет. Минимальное потребление в серии - 105W, большинство моделей "жрет" 120W, топовые - 145W.
- сокет (видимо?) меняется. LGA2011-3

    Свита.
Я вам не скажу за всю Одессу... Скажу за близкое - Supermicro.
    Пресс-релиз о готовности компании к переходу на новый процессор опубликован 12 августа. Пока Supermicro подготовила массовые платформы - они теперь будут иметь "8" в цифровом коде артикула (6018xxx и x028xxx). С этим индексом может возникнуть некоторая пуаница, поскольку 4-процессорные (x048xxx) решения живут своими поколениями и у них "8" относится к процессорам E7-8800 v2 / E7-4800 v2 / E7-2800 v2.
В нишах, пестуемых компанией - Twin, GPU-оптимизированные, SuperBlade, пока не все просто. Twin уже есть с "8", а в области GPU и SuperBlade еще только индекс "7". Видимо, пока борются с теплом...
    Список внушительный, и это - только на старте и только то, что они привезли на выставку в Ванкувер! С ужасом думаю - какой фейерверк и калейдоскоп грядет сразу после..

    Что зацепил глаз.
- новый уровень эффективности блоков питания - после платинового (95% КПД), к которому уже привыкли, замелькал Титановый (Titanium Level, 96%).
- упоминание о поддержке NVMe - это уже было, не новость
- появились материнские платы и платформы со встроенным 4 канальным 10GBase-T (-TR4T+) контроллером

    Каминг, как говорится, сун! До полного раскрытия всех деталей как внутри, так и снаружи процессора осталость ждать недолго.

пятница, 8 августа 2014 г.

Samsung считает, что потенциал NAND еще не исчерпан

MLC NAND 10нм-класса


    6 августа 2014 Samsung представил SSD серии SM1623, которые придут на запущенные в 2012 году SM1625.

    Накопители используют чипы, производимые по новым, 10нм класса нормам (размер элемента от 19 до 10 нанометров). Емкость 800GB - пока представлена единственная модель. Интерфейс - SAS. Вообще, Samsung в своем портфолио имеет решения и для набирающих обороты NVMe (Non-Volatile Memory express), PCIe (Peripheral Component Interconnect express).
    В области производительности новый накопитель опережает предшественника:
Random read IOPS - to 120,000 (SM1625 - 101,000. Прирост 19%)
Random write IOPS - to 26,000 (SM1625 - 23,000. Прирост 13%)
Sequential read bandwidth - to 950MB/sec (SM1625 - 848MB/sec. Плюс 12%)
Sequential write bandwidth - to 520MB/sec (SM1625 - 740MB/sec. Плюс 40%)
Samsung утверждает, что SSD оптимизированы на чтение.

    Производитель позиционирует новую серию в сегмент энтерпрайз. Количество полных циклов перезаписи (Drive Write per Day, DWPD) - "более 1" в день.

3D (V-NAND) упаковка

    Напомню - 10 июня 2014 Samsung презентовал начало производства второго поколения 3D упакованных чипов.
    Фирменная технология Samsung, в оригинале называющаяся V-NAND - это многослойное наращивание элементов памяти с вертикальными межсоединениями (Второе поколение позволяет собирать "наполеон" в 32 слоя. Первое поколение - 24).
    На Ютюб размещен флеш-ролик, наглядно показывающий процесс производства подобного пирожка. Вроде бы он относится к решению, используемому Samsung. Каждый слой содержит ячейки NAND памяти, слои соединяются между собой в торцах.
    По этой технологии произведен 850 PRO V-NAND SSD (подробная информация на сайте отсутствует).

http://www.theregister.co.uk/2014/08/07/samsung_revs_sas_ssd/
http://www.thessdreview.com/daily-news/latest-buzz/samsung-announces-sm1623-sas-interface-ssds-enhance-enterprise-offerings/
http://www.businesswire.com/news/home/20140806005952/en/Samsung-Introduces-SAS-interface-Solid-State-Drive-Expanding#.U-RM2Pl_uYI

3D
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=13541
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Greenmemory/news-event/in-the-news/detail?contentsSeq=13521&contsClassCd=G

среда, 6 августа 2014 г.

Первая ласточка - HGST демонстрирует PCM (Phase Change Memory, память с изменением фазового состояния) SSD

   4 августа 2014 на Flash Memory Summit, компания HGST продемонстрировала SSD на основе памяти с изменением фазового состояния.

    Начало заката NAND. При практически безальтернативности (пока!) , в качестве энергонезависимой памяти, NAND имеет ряд существенных недостатков. Всевозможные улучшенные технологии (eMLC) не решают в корне проблему. Отсюда - активные поиски альтернативной основы. Одной из очень перспективных технологий в области энергонезависимой памяти как раз и является память с изменением фазового состояния - PCM, Phase Change Memory.
    Что мы имеем в потенциале? Сравнение PCM (PRAM) и NAND.
Цитата из Wiki:
    "PRAM может предложить существенно более высокую производительность в областях, требующих быстрой записи, за счет того, что элементы памяти могут быстрее переключаться, а также благодаря тому, что значение отдельных битов можно изменить на 1 или 0 без предварительного стирания целого блока ячеек.
    Кроме того, каждое применение напряжения вызывает необратимую деградацию ячеек флеш-памяти. Большинство флеш-устройств обладают порядка 10,000 — 100,000 циклов записи на сектор
...
    PRAM-устройства также деградируют по мере использования, но по другим причинам нежели флеш-память (от воздействия температуры), причем деградация происходит гораздо медленнее. PRAM-устройство может выдержать порядка 100 миллионов циклов записи."
    Себестоимость производства PRAM выше, чем NAND.

    Производством PRAM чипов на протяжении нескольких лет занимается Micron, скорее всего они и легли в основу накопителя HGST. Есть указание на использование 1GB чипов, произведенных по 45нм технологии.
    Прототип накопителя, демонстрируемый на конференции выполнен в виде PCIe платы и показывает 3 миллиона операций ввода/вывода в секунду (IOPS) при задержке доступа 1,5 мкс. на операциях с блоками 512 байт. Хорошая производительность. Достигнуты столь малые задержки, помимо прочего, благодаря использованию нового протокола Usenix, разработанного совместно с University of California, San Diego.

http://www.hgst.com/press-room/press-releases/HGST-Research-Demonstrates-World-Fastest-SSD-at-Flash-Memory-Summit
http://www.theregister.co.uk/2014/08/05/hgst_changes_phase_for_3_million_iops/

PMC скромно представил семейство NVMe контроллеров и ускоритель NVRAM Flashtec

    Ни на сайте PMC, ни на сайте Adaptec by PMC нет раздела "Новости", поэтому новые продукты появляются более чем скромно.

Контроллер

    Flashtec NVMe Controller - это семейство (в данный момент состоит из 2 изделий) NVMe контроллеров. NVMe 1016 - 16-канальный и NVMe 1032 - 32-канальный.
    NVMe контроллер устраняет "бутылочное горлышко" в тракте между процессорами вычислительной системы и устройствами хранения (в первую очередь, SSD).
    Контроллеры Flashtec строится на чипе, который может выступать в качестве 32-канального NAND Flash контроллера или двух независимых 16-канальных. В последнем случае, контроллеры могут работать в режимах active/active или active/standby. Соответственно, подключение происходит по схеме:  PCIe® x4 / 2x4 Gen3 (или/или) для 1016 и PCIe® x8 / 2x4 Gen3 (или/или) для 1032.
    Контроллеры позволяют подключать до 8TB (!) флэш памяти (SSD) с интерфейсом PCIe.
Что еще хорошего:
- все внутренние пересылки данных защищены дополнительным кодом восстановления ошибок (ECC) для гарантированной сохранности;
- опциональный ROM позволяет превратить контроллер в загрузочное устройство;
- защита данных от сбоев по питанию - они не пропадут ни при каких обстоятельствах;
- объединение флэш устройств в RAID.

    Массив флеш-устройств, подключенных к контроллеру, может быть использован системой для кэширования, создания снэпшотов ("моментальных снимков", техника используется в резервном копировании), хранения высоковостребованного контента или файлов.

    Производительность оптимизирована для 4kB блоков данных - это стандартный показатель для SSD
Для 1032 представлены следующие данные по производительности:
Sequential 4KB Read/Write (up to): 3.5 / 1.3 GB/s
Random 4KB Read/Write (up to): 850K/325K IOPS

Ускоритель

    Flashtec NVRAM Drive представлен моделями на 4, 8 и 16GB. Если нужна беспрецедентная производительность - вот что поможет разгуляться! Более 10.000.000 (прописью: ДЕСЯТЬ МИЛЛИОНОВ) IOPS. Задержка доступа к данным при этом составляет доли микросекунд.
    "На борту" ускорителя имеется массив оперативной памяти, флэш памяти и система питания, позволяющая переносить данные из одной области в другую при потере питания. Флеш устройства разделен на 2 банка (для чего - явно не описывается. Вероятно - есть возможность иметь 2 снимка памяти) Процесс бэкапа и восстановления происходит в следующих временных рамках:
< 30 sec backup time
< 1 min restore time
Флэш выдерживает более 5000 циклов записи

    Ускоритель может выступать для системы в двух ипостасях -

рис.1
    как устройство прямого доступа к памяти (Direct Memory Acces) (рис.1)

В этом применении память контроллера используется как продолжение пространства оперативной памяти системы (DRAM), но при этом является энергонезависимой!
Производительность в этом режиме составляет более 10 млн. IOPS.





рис.2

или как блочное устройство (Block Mode Access) (рис.2), т.е., очень быстрое устройство хранения.

В этом применении устройство выглядит для системы так же, как винчестер, например, но со скоростью, сравнимой с доступом к оперативной памяти.
Производительность в этом режиме составляет более 1 млн. IOPS.
http://pmcs.com/products/storage/flashtec_nvme_controllers/
http://pmcs.com/products/storage/flashtec_nvram_drives/

вторник, 5 августа 2014 г.

Теперь все кинулись производить PCIe SSD

    Сектор SSD пройден и утоптан. Осталось выжженное поле. Во многих случаях покупатель уже ориентируется не на технические особенности изделия, а просто на имя. Какие могут быть кардинальные отличия, если чипы памяти и чипы контроллера у всех производителей из одного набора??  :)
    Пришло время - пока не поздно - быстро побороться на поле PCIe SSD, еще не совсем убитом. Ради этого благого дела происходит перегруппировка сил, покупки, слияния...

    BiTMICRO Networks представил MAXio E-Series PCIe SSD, основанный на фирменной архитектуре BiTMICRO - Talino ASIC. Емкость от 1.5TB до 6TB. Оценочная стоимость - $3.99 за GB. Технические подробности тут. Карта алого цвета - это сильный шаг!
Performance
4KB Read IOPs 240,000
4KB Write IOPs 100,000
4KB Read Latency Less than 50 μSec
4KB Write Latency Less than 30 μSec



    HGST, тем временем, анонсирует удвоение соотношения цена/производительность в новом поколении - уже третьем! - серии FlashMAX PCIe. Купленная HGST в октябре 2013 года Virident, влилась в отшлифованном уже виде в продуктовую линейку объединенной компании. Емкость - 1.1, 1.65 и 2.2GB. Технические подробности тут.
Performance
Capacities (GB2)                                         1100 1650 2200
Read IOPS (max IOPS, random 4K)         549,000 409,000 531,000
Write IOPS (max IOPS, random 4K)         53,000 30,000 59,000
    Ах, да - еще софт представили!!! ServerCache. Он позволяет расширить все преимущества FlashMAX на любой из серверов в SAN (Storage Area Network), работающих под управлением Windows Server или Linux. Стоит порядка $995 и лицензируется на физический сервер.

Diablo Technologies получил патент, позиционируемый как "ключевая технология".

    Diablo Technologies - дочерняя компания SanDisk, получила патент США No. 8,713,379 "System and method of interfacing co-processors and input/output devices via a main memory system" (Система и метод взаимодействия процессоров и устройств ввода/вывода через основную память).
    Сделано это для фиксации действительно революционноно подхода к взаимодействию подсистем вычислительного комплекса, или впоследствии будет использовано для давления / взимания роялти с конкурентов - покажет время. Сама компания называет предмет патента "ключевой технологией". Патент описывает:

  • метод подключения энергонезависимой памяти непосредственно к контроллеру памяти процессора;
  • систему преобразования сигналов и данных, присущих оперативной памяти (чередование, шифрование) в обоих направлениях;
  • метод преобразования нелинейных адресов оперативной памяти в линейные.

Ну, как бы - если иметь устройство с одной системой с адресации данных с одной стороны и систему с отличной адресацией с другой - преобразователь для их взаимодействия может написать практически любой программист, по-моему...

    Diablo Technologies замелькала в интернет благодяря разработке ULLtraDIMM (писал в начале года) - модулей энергонезависимой памяти (по инерции ее называют SSD, хотя к "дискам" она не имеет отношения) в формате DIMM.

    ULLtraDIMM решился использовать в своих системах IBM и ряд других крупных игроков IT рынка.

http://www.diablo-technologies.com/diablo-technologies-secures-key-u-s-patent-covering-memory-channel-storage-technology/