4 августа 2014 на Flash Memory Summit, компания HGST продемонстрировала SSD на основе памяти с изменением фазового состояния.
Начало заката NAND. При практически безальтернативности (пока!) , в качестве энергонезависимой памяти, NAND имеет ряд существенных недостатков. Всевозможные улучшенные технологии (eMLC) не решают в корне проблему. Отсюда - активные поиски альтернативной основы. Одной из очень перспективных технологий в области энергонезависимой памяти как раз и является память с изменением фазового состояния - PCM, Phase Change Memory.
Что мы имеем в потенциале? Сравнение PCM (PRAM) и NAND.
Цитата из Wiki:
"PRAM может предложить существенно более высокую производительность в областях, требующих быстрой записи, за счет того, что элементы памяти могут быстрее переключаться, а также благодаря тому, что значение отдельных битов можно изменить на 1 или 0 без предварительного стирания целого блока ячеек.
Кроме того, каждое применение напряжения вызывает необратимую деградацию ячеек флеш-памяти. Большинство флеш-устройств обладают порядка 10,000 — 100,000 циклов записи на сектор
...
PRAM-устройства также деградируют по мере использования, но по другим причинам нежели флеш-память (от воздействия температуры), причем деградация происходит гораздо медленнее. PRAM-устройство может выдержать порядка 100 миллионов циклов записи."
Себестоимость производства PRAM выше, чем NAND.
Производством PRAM чипов на протяжении нескольких лет занимается Micron, скорее всего они и легли в основу накопителя HGST. Есть указание на использование 1GB чипов, произведенных по 45нм технологии.
Прототип накопителя, демонстрируемый на конференции выполнен в виде PCIe платы и показывает 3 миллиона операций ввода/вывода в секунду (IOPS) при задержке доступа 1,5 мкс. на операциях с блоками 512 байт. Хорошая производительность. Достигнуты столь малые задержки, помимо прочего, благодаря использованию нового протокола Usenix, разработанного совместно с University of California, San Diego.
http://www.hgst.com/press-room/press-releases/HGST-Research-Demonstrates-World-Fastest-SSD-at-Flash-Memory-Summit
http://www.theregister.co.uk/2014/08/05/hgst_changes_phase_for_3_million_iops/
Начало заката NAND. При практически безальтернативности (пока!) , в качестве энергонезависимой памяти, NAND имеет ряд существенных недостатков. Всевозможные улучшенные технологии (eMLC) не решают в корне проблему. Отсюда - активные поиски альтернативной основы. Одной из очень перспективных технологий в области энергонезависимой памяти как раз и является память с изменением фазового состояния - PCM, Phase Change Memory.
Что мы имеем в потенциале? Сравнение PCM (PRAM) и NAND.
Цитата из Wiki:
"PRAM может предложить существенно более высокую производительность в областях, требующих быстрой записи, за счет того, что элементы памяти могут быстрее переключаться, а также благодаря тому, что значение отдельных битов можно изменить на 1 или 0 без предварительного стирания целого блока ячеек.
Кроме того, каждое применение напряжения вызывает необратимую деградацию ячеек флеш-памяти. Большинство флеш-устройств обладают порядка 10,000 — 100,000 циклов записи на сектор
...
PRAM-устройства также деградируют по мере использования, но по другим причинам нежели флеш-память (от воздействия температуры), причем деградация происходит гораздо медленнее. PRAM-устройство может выдержать порядка 100 миллионов циклов записи."
Себестоимость производства PRAM выше, чем NAND.
Производством PRAM чипов на протяжении нескольких лет занимается Micron, скорее всего они и легли в основу накопителя HGST. Есть указание на использование 1GB чипов, произведенных по 45нм технологии.
Прототип накопителя, демонстрируемый на конференции выполнен в виде PCIe платы и показывает 3 миллиона операций ввода/вывода в секунду (IOPS) при задержке доступа 1,5 мкс. на операциях с блоками 512 байт. Хорошая производительность. Достигнуты столь малые задержки, помимо прочего, благодаря использованию нового протокола Usenix, разработанного совместно с University of California, San Diego.
http://www.hgst.com/press-room/press-releases/HGST-Research-Demonstrates-World-Fastest-SSD-at-Flash-Memory-Summit
http://www.theregister.co.uk/2014/08/05/hgst_changes_phase_for_3_million_iops/
Комментариев нет:
Отправить комментарий