MLC NAND 10нм-класса
6 августа 2014 Samsung представил SSD серии SM1623, которые придут на запущенные в 2012 году SM1625.
Накопители используют чипы, производимые по новым, 10нм класса нормам (размер элемента от 19 до 10 нанометров). Емкость 800GB - пока представлена единственная модель. Интерфейс - SAS. Вообще, Samsung в своем портфолио имеет решения и для набирающих обороты NVMe (Non-Volatile Memory express), PCIe (Peripheral Component Interconnect express).
В области производительности новый накопитель опережает предшественника:
Random read IOPS - to 120,000 (SM1625 - 101,000. Прирост 19%)
Random write IOPS - to 26,000 (SM1625 - 23,000. Прирост 13%)
Sequential read bandwidth - to 950MB/sec (SM1625 - 848MB/sec. Плюс 12%)
Sequential write bandwidth - to 520MB/sec (SM1625 - 740MB/sec. Плюс 40%)
Samsung утверждает, что SSD оптимизированы на чтение.
Производитель позиционирует новую серию в сегмент энтерпрайз. Количество полных циклов перезаписи (Drive Write per Day, DWPD) - "более 1" в день.
3D (V-NAND) упаковка
Напомню - 10 июня 2014 Samsung презентовал начало производства второго поколения 3D упакованных чипов.Фирменная технология Samsung, в оригинале называющаяся V-NAND - это многослойное наращивание элементов памяти с вертикальными межсоединениями (Второе поколение позволяет собирать "наполеон" в 32 слоя. Первое поколение - 24).
На Ютюб размещен флеш-ролик, наглядно показывающий процесс производства подобного пирожка. Вроде бы он относится к решению, используемому Samsung. Каждый слой содержит ячейки NAND памяти, слои соединяются между собой в торцах.
По этой технологии произведен 850 PRO V-NAND SSD (подробная информация на сайте отсутствует).
http://www.theregister.co.uk/2014/08/07/samsung_revs_sas_ssd/
http://www.thessdreview.com/daily-news/latest-buzz/samsung-announces-sm1623-sas-interface-ssds-enhance-enterprise-offerings/
http://www.businesswire.com/news/home/20140806005952/en/Samsung-Introduces-SAS-interface-Solid-State-Drive-Expanding#.U-RM2Pl_uYI
3D
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=13541
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Greenmemory/news-event/in-the-news/detail?contentsSeq=13521&contsClassCd=G
Комментариев нет:
Отправить комментарий