29 мая 2014 Samsung объявил о начале промышленного выпуска флеш микросхем 3D упаковки нового, второго поколения. В отличие от предыдущего, в одном корпусе размещается 32-слойный "Наполеон" V-NAND (Vertical NAND) флеш памяти.
Плотная упаковка позволяет производить накопители емкостью 128GB, 256GB, 512GB и 1TB. Новое поколение SSD на базе технологии 3D V-NAND, по утверждению Samsung, обладает в два раза большим ресурсом на запись при меньшем на 20% потреблении энергии по сравнению с традиционным решением на планарных (2D) микросхемах.
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Greenmemory/news-event/press-release/detail?contentsSeq=13481&contsClassCd=N
Плотная упаковка позволяет производить накопители емкостью 128GB, 256GB, 512GB и 1TB. Новое поколение SSD на базе технологии 3D V-NAND, по утверждению Samsung, обладает в два раза большим ресурсом на запись при меньшем на 20% потреблении энергии по сравнению с традиционным решением на планарных (2D) микросхемах.
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Greenmemory/news-event/press-release/detail?contentsSeq=13481&contsClassCd=N
Комментариев нет:
Отправить комментарий