В ноябре 2015 JDEC опубликовал JESD235A - стандарт HIGH BANDWIDTH MEMORY (HBM) DRAM. Это уже вторая версия, т.е. HBM2 DRAM.
А уже 19 января 2016 Samsung представил пресс-релиз о готовности к масс-продакшн
HBM2 DRAM изделий. Маркетологи подгадали...
HBM - не новый тип памяти. Все та же DDR, но "беспрецедентно" - в 7 раз быстрее классической DDR. За счет чего? Последовательно поставленные "HBM" и "DRAM" сбивают с толку, создавая впечатление - что это какой-то отличный или обособленный тип памяти, но HBM - это вариант интерфейса.
HBM основан на многослойной упаковке с межсоединениями через сквозные отверстия в кремнии - 3D TSV (Through Silicon Via). Благодаря сокращению длины проводников практически до нуля (в сравнении с обычной, плоской упаковкой чипов) - видимо - существенно уменьшается время переходных процессов в проводниках. И длина никакая и емкость нулевая - он же перпендикулярный!! Можно сократить времена ожидания установления сигналов на каждом переходе 0-1-0. Помимо прочего, HBM - широкий интерфейс. Соединения между слоями осуществляются через более, чем 5 000 "дырок"!
Samsung остановился пока на 4 слоях "чипов памяти". Каждый - 8Гб. Как вариант - возможно их упаковать на одну подложку с собственно процессором и получить комбайн из процессора со сверхбыстрой встроенной оперативной памятью на 32Г. Одним из первых применений HBM, видимо, будет оснащение быстрой памятью продвинутых графических карт.
HBM родился не вчера, еще в середине 2014 SK Hynix Inc анонсировал подобный модуль - http://viacheslavfonarev.blogspot.com/2014/06/128gb-ddr4-dimm-sk-hynix-inc.html
Да и сама Samsung в середине 2015 рекламировала - http://viacheslavfonarev.blogspot.com/2015/04/3d-3d-ddr-samsung.html
Нынешний "новорожденный" - HBM2 вдвое производительнее предшественника.
Samsung https://news.samsung.com/global/samsung-begins-mass-producing-worlds-fastest-dram-based-on-newest-high-bandwidth-memory-hbm-interface
HBM2 DRAM стандарт JDEC http://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd235a Nov 2015
А уже 19 января 2016 Samsung представил пресс-релиз о готовности к масс-продакшн
HBM2 DRAM изделий. Маркетологи подгадали...
HBM - не новый тип памяти. Все та же DDR, но "беспрецедентно" - в 7 раз быстрее классической DDR. За счет чего? Последовательно поставленные "HBM" и "DRAM" сбивают с толку, создавая впечатление - что это какой-то отличный или обособленный тип памяти, но HBM - это вариант интерфейса.
HBM основан на многослойной упаковке с межсоединениями через сквозные отверстия в кремнии - 3D TSV (Through Silicon Via). Благодаря сокращению длины проводников практически до нуля (в сравнении с обычной, плоской упаковкой чипов) - видимо - существенно уменьшается время переходных процессов в проводниках. И длина никакая и емкость нулевая - он же перпендикулярный!! Можно сократить времена ожидания установления сигналов на каждом переходе 0-1-0. Помимо прочего, HBM - широкий интерфейс. Соединения между слоями осуществляются через более, чем 5 000 "дырок"!Samsung остановился пока на 4 слоях "чипов памяти". Каждый - 8Гб. Как вариант - возможно их упаковать на одну подложку с собственно процессором и получить комбайн из процессора со сверхбыстрой встроенной оперативной памятью на 32Г. Одним из первых применений HBM, видимо, будет оснащение быстрой памятью продвинутых графических карт.
HBM родился не вчера, еще в середине 2014 SK Hynix Inc анонсировал подобный модуль - http://viacheslavfonarev.blogspot.com/2014/06/128gb-ddr4-dimm-sk-hynix-inc.html
Да и сама Samsung в середине 2015 рекламировала - http://viacheslavfonarev.blogspot.com/2015/04/3d-3d-ddr-samsung.html
Нынешний "новорожденный" - HBM2 вдвое производительнее предшественника.
Samsung https://news.samsung.com/global/samsung-begins-mass-producing-worlds-fastest-dram-based-on-newest-high-bandwidth-memory-hbm-interface
HBM2 DRAM стандарт JDEC http://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd235a Nov 2015
Комментариев нет:
Отправить комментарий