3D повсюду. 3D DDR уж полгода как у Samsung

    Пропустилось - не заметилось... А, оказывается, еще в августе 2014 Samsung пустил в производство 3D DDR чипы (и модули, соответственно), изготавливаемые по технологии Through Silicon Via (TSV), т.е., с соединениями между слоями "сквозь силикон". Это как в производстве многослойных печатных плат - отверстия по площади и металлизация внутри них насквозь. (Есть же еще технология с торцевыми межсоединениями).

    Слоев пока 2, планируется увеличивать это число. Оно, конечно, в два раза больше по емкости получается, в два раза меньше жрет и вдвое быстрее, чем традиционная однослойная память... Но в производстве дороже. По оценке Hynix - на 22%. Причем, удорожание касается сборки (+100%) и тестирования (+60%). Собственно, силикон получается дороже всего на 4% - информация на 2011 год.

    Конечный продукт - DDR4 RDIMM модуль емкостью 64 ГБ. Модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых содержит 4 кристалла DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Производство ведется по 20-нанометровому процессу.


http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=13602