Andrew D. Kent и Daniel C. Worledge взяли на себя труд донести до общественности в не очень заумной форме основы функционирования очень перспективного типа запоминающих устройств - STT-MRAM. Статья опубликована на NATURE NANOTECHNOLOGY.
И, хотяобывателю пользователю готового устройства в общем-то, по барабану - БЛАГОДАРЯ ЧЕМУ он в новой модели получил СТОЛЬ ВЫСОКИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА, все еще существует прослойка людей, которым это интересно.
STT-MRAM, если совсем коротко - это комбинация скорости и выносливости в сочетании с произвольным доступом и отсутствием движущихся элементов. К тому же, (!!!) энергонезависимая. Лишена недостатков, присущих всем широко применяемым в настоящее время устройствам памяти - DRAM, HDD и SSD. STT-MRAM прочат как идущую (в перспективе) на замену оперативной памяти, а в более экстремальных прожектах - как "просто память".
http://www.nature.com/nnano/journal/v10/n3/full/nnano.2015.24.html (на английском)
https://ru.wikipedia.org/wiki/Магниторезистивная_оперативная_память (русский)
И, хотя
STT-MRAM, если совсем коротко - это комбинация скорости и выносливости в сочетании с произвольным доступом и отсутствием движущихся элементов. К тому же, (!!!) энергонезависимая. Лишена недостатков, присущих всем широко применяемым в настоящее время устройствам памяти - DRAM, HDD и SSD. STT-MRAM прочат как идущую (в перспективе) на замену оперативной памяти, а в более экстремальных прожектах - как "просто память".
http://www.nature.com/nnano/journal/v10/n3/full/nnano.2015.24.html (на английском)
https://ru.wikipedia.org/wiki/Магниторезистивная_оперативная_память (русский)
Комментариев нет:
Отправить комментарий