Seagate Kinetic - нужна помощь зала!!!

    Пока слухи. Определенность ждется на OpenStack summit (Vancouver, Canada).

    Seagate предложила на рынок накопители Kinetic с Ethernet интерфейсом для того, чтобы упростить структуру системы хранения - по идее, сервер общается напрямую с накопителем
(-лями) по Ethernet (она-то есть на 100%), нет необходимости в отдельной сети хранения (SAN).

    Хотя компания раскрывает некоторые библиотеки и инструменты, возникло понимание - что в одиночку масштабно расширить сферу применения решения не удастся. Тормозом является закрытость. По информации, полученной Reg, славное имя Seagate появится вместе с группой товарищей, пожелавших включиться, на просторах OpenStack.

2550100 альянс - цель в самом названии (25Gb, 50Gb, 100Gb)

    Апрель 2015. Для пропаганды и продвижения, а также для облегчения (морального) перехода пользователей на быстрые и очень быстрые интерфейсы, рядом компаний создан альянс. 25Gb, 50Gb, 100Gb - запомнить легко!

http://www.2550100.com/

Toshiba и STT-MRAM. Как минимум - кэш процессора, как максимум - ВСЯ ПАМЯТЬ КОМПЬЮТЕРА

    STT-MRAM.
По скорости ее опережает только дорогенная SRAM.
Энергонезависима (как NAND флеш)
Нет необходимости в регенерации, в отличии от DRAM
Нет драматического износа (как NAND флеш)

Из недостатков - бОльший необходимый для MRAM размер ячейки, чем, допустим, в DRAM. Это обусловлено физикой. Частично проблема решается технологией STT-MRAM, размеры ячейки в которой более близки к размерам DRAM.

    История MRAM по нынешним меркам древняя. Wiki приводит ретроспективу, зачатки датированы аж 1955 годом! В течение столь долгого пути физикой и технологией пытались заниматься многие компании. Toshiba - одна из немногих компаний, последовательно вкладывающих деньги в столь перспективную технологию в течение ряда лет. Возможно, оно окупится сторицей.
    Информационную поддержку оказывает ресурс http://www.mram-info.com 

    Вместе с очередным успехом на технологическом фронте, Toshiba начала прощупывать почву на возможных перспективных полянах.

    "Не пора ли, друзья мои, нам замахнуться на ... Вильяма нашего, Шекспира?? "
Поскольку по результатам испытаний, Toshiba добилась на новых 1-мегабитных STT-MRAM чипах задержки доступа всего в 3,3 наносекунды (что сравнимо с SRAM) при на 80% большей

STT-MRAM для зануд. Тем - кто не может спокойно использовать дивайс, не понимая глубинных основ его функционирования.

    Andrew D. Kent и Daniel C. Worledge взяли на себя труд донести до общественности в не очень заумной форме основы функционирования очень перспективного типа запоминающих устройств - STT-MRAM. Статья опубликована на NATURE NANOTECHNOLOGY.
    И, хотя обывателю пользователю готового устройства в общем-то, по барабану - БЛАГОДАРЯ ЧЕМУ он в новой модели получил СТОЛЬ ВЫСОКИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА, все еще существует прослойка людей, которым это интересно.

    STT-MRAM, если совсем коротко - это комбинация скорости и выносливости в сочетании с произвольным доступом и отсутствием движущихся элементов. К тому же, (!!!) энергонезависимая. Лишена недостатков, присущих всем широко применяемым в настоящее время устройствам памяти - DRAM, HDD и SSD. STT-MRAM прочат как идущую (в перспективе) на замену оперативной памяти, а в более экстремальных прожектах - как "просто память".


http://www.nature.com/nnano/journal/v10/n3/full/nnano.2015.24.html   (на английском)
https://ru.wikipedia.org/wiki/Магниторезистивная_оперативная_память   (русский)

VIMM (Violin Intelligent Memory Modules) и FFA (Flash Fabric Architecture) - то, на чем Violin строит свои All-Flash Array

    Компания Violin. All Flash Array строятся на платформе, в основе своей имеющей 2 ключевых пункта: Экосистема, она же FFA (Flash Fabric Architecture) и Модули памяти VIMM (Violin Intelligent Memory Modules).




    Структура FFA (Flash Fabric Architecture) на картинке. Классическая схема - двухконтроллерная отказоустойчивая система. Во внешний мир каждый контроллер смотрит двумя каналами - FC, IB, iSCSI - на выбор. Плюс, несколько служебных/управляющих портов. Каждый из установленных в систему модулей соединен с каждым контроллером двумя внутренними шинами (всего 4 в каждом модуле).

   


    FFA обеспечивает:

• ультранизкую и ПРЕДСКАЗУЕМУЮ задержку;
• стабильную производительность на смешанных нагрузках;
• высочайшую производительность. Поскольку каждый контроллер работает с порядка 8 000 физических устройств (чипов флеш-памяти), поток данных может быть сформирован гигантский. Управление, при этом, идет фоновыми процессами и на производительность системы никак не влияет;
• высокая доступность (все дублировано);
• экономичный дизайн. Ну, делаем поправку на область, в которой играем...

    Собственно, модули VIMM (Violin Intelligent Memory Modules)

    Чипы флеш располагаются на модулях с горячей заменой - intelligent flash management units (умные модули управления флеш). Они действительно умные и обеспечивают всю черновую работу, которой коммутаторам заниматься не с руки - аппаратный интерфейс к чипам памяти, сбор мусора, выравнивание износа и исправление ошибок.
    Контроллер модуля совместно с вышестоящим коммутатором обеспечивают избыточность хранения по фирменной технологии vRAID - аппаратное патентованное решение с на основе алгоритма RAID. Увеличивает надежность и уменьшает задержки.

    Модуль содержит:

• высокопроизводительный флэш контроллер 
• процессор управления 
• DRAM для метаданных 
• флеш-память NAND для хранения

http://www.violin-memory.com/architecture/

3D повсюду. 3D DDR уж полгода как у Samsung

    Пропустилось - не заметилось... А, оказывается, еще в августе 2014 Samsung пустил в производство 3D DDR чипы (и модули, соответственно), изготавливаемые по технологии Through Silicon Via (TSV), т.е., с соединениями между слоями "сквозь силикон". Это как в производстве многослойных печатных плат - отверстия по площади и металлизация внутри них насквозь. (Есть же еще технология с торцевыми межсоединениями).

    Слоев пока 2, планируется увеличивать это число. Оно, конечно, в два раза больше по емкости получается, в два раза меньше жрет и вдвое быстрее, чем традиционная однослойная память... Но в производстве дороже. По оценке Hynix - на 22%. Причем, удорожание касается сборки (+100%) и тестирования (+60%). Собственно, силикон получается дороже всего на 4% - информация на 2011 год.

    Конечный продукт - DDR4 RDIMM модуль емкостью 64 ГБ. Модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых содержит 4 кристалла DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Производство ведется по 20-нанометровому процессу.


http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=13602

3D NAND. Прорвало!

    Прямо-таки веер анонсов, пресс-релизов и прочего блестяще-сверкающего буквально за несколько дней!... "3D NAND шагает по планете" - как бы сказали в прошлом веке в новостях в 21-00.

    Идея повышения плотности размещения "вытягиванием" в третье измерение висела в воздухе, поэтому неудивительно, что все (а их пересчитать по пальцам) производители флеш-памяти выступили со своими 3D продуктами. Одновременно - это дабы не отстать от конкурентов к моменту, когда свет потухнет и надо будет воткнуть вилку в пельмень. "За нами следят!" - кто-то готовился первый, остальные подтянулись по срокам презентаций.
    Технологии производства и архитектура, при этом, различны. В силу дороговизны научно-исследовательских и опытных работ, при разработке образуются альянсы. Так, один из вариантов подготовлен совместно SanDisk и Toshiba, другую группировку образуют Micron Technology и Intel Corporation. Стоит заметить, что сейчас речь идет (по крайней мере, у SanDisk - Toshiba ) уже о втором поколении 3D чипов. Релизы в порядке перечисления:

ARM. В планах 20% серверного рынка к 2020

    ARM, обзаводясь все большим количеством ядер и обрастая архитектурой, активно претендует на расширение применений и все более значимую роль в датацентрах.
    В перспективе - по дороге заняв нишу в облаках - высокопроизводительные вычисления, онлайн аналитика, пресловутые БигДата... За пятилетку (к 2020 году) планируется занять 20% серверного силикона.

http://www.theregister.co.uk/2015/03/23/arm_plans_to_win_20_per_cent_of_the_server_market_by_the_year_2020/

Memblaze уже делает 3.2TB и обещает 6.4TB NVMe PCIe SSD через год

    PBlazeIV (уже 4-е поколение!) NVMe SSD накопителей представлено на Cebit компанией Memblaze.
    Линия имеет емкости от 800GB до 3.2TB и 2 варианта исполнения - PCIe карта или накопитель 2,5". Доступность - с мая 2015. Следом планируется выкатить PBlazeIV 900 серию емкостью до 6.4TB.

http://www.memblaze.com/Content/2015/03-16/1025096524.html

Санкции глубоко проникли в IT индустрию

Нежданно... Попытка перейти на сайт http://www.datacenterjournal.com/ привела к следующему сообщению на пустом экране:

Forbidden - Visitors from your country are not permitted to browse this site.

TrendForce: TLC NAND флеш займут 50% рынка в 4 квартале 2015

    DRAMeXchange разместила свой прогноз на близкую перспективу в области флеш накопителей. По мнению ресурса, активное продвижение на рынок TLC NAND в сочетании с более низкой ценой (80..85% от цены MLC) приведет к широкому использованию этого типа чипов флеш-памяти в конечных устройствах и занятию порядка 50% рынка уже в конце 2015 года. По оценке, сейчас показатель уже составляет 35..37%

http://www.dramexchange.com/WeeklyResearch/Post/2/4000.html

Seagate Enterprise Performance 15K HDD с технологией TurboBoost. Обновление.

    Пятое поколение линии Enterprise Performance накопителей формата 2,5".

    "Вылетает" емкость 450. В обновленной линейке будет 2 емкости - 300 и 600Гб.
Накопители оснащены 32GB eMLC флеш, использующийся как кэш "горячих данных".
Помимо этого использована технология “TurboBoost” - что это такое пока не нашел... "Технология увеличения тактовой частоты". Какой частоты?..

• Емкость (стандартный | с шифрованием | с FIPS 140-2)

сектор 512e:
600GB (ST600MX0052 | ST600MX0062 | ST600MX0072)
300GB (ST300MX0012 | ST300MX0022 | n/a)
сектор 4k Native:
600GB (ST600MX008 | ST600MX0092 | ST600MX0102)
300GB (ST300MX0032 | ST300MX0042 | n/a)

Diablo Technologies - Netlist. Конец бразильского действа? Можно, наконец, работать?

    29 марта 2015 Diablo Technologies разместила информацию о том, что федеральное жюри приняло ее позицию в патентном споре с Netlist по поводу ULLtraDIMM и компания получила право на возобновление поставок продукции. Соответственно, запрещение снимается и с Sandisk.

http://www.diablo-technologies.com/diablo-technologies-to-resume-shipments-of-memory-channel-storage-after-court-ruling/


PS.
   Нет! История не завершена. Сиквел будет иметь продолжение.
   Netlist расшифровывает решение жюри: Компания SanDisk была привлечена к ответственности по ошибке, с нее снимаются санкции, но до окончательного вердикта не снимается запрет на поставку спорных чипов компанией Diablo Technologies. При этом, Netlist считает, что запаса чипов в SanDisk не должно хватить надолго, а спрос на продукцию  в ближайшие 3..6 месяцев (пока есть запасы чипов и нет окончательного вердикта) будет никакой (если так - зачем вообще было судить-рядить?).
   В целом, Netlist недоволен промежуточным результатом и будет дожимать до конца.

http://www.netlist.com/media/in-the-news/

   Получается, зря ряд ведущих компаний поставили на технологию ULLtraDIMM. Мало того, что она имеет ограничения и недостатки, сужающие сферу применения и спрос, так еще и бесконечные "можно - нельзя", "грузим - не грузим"... Вполне может получиться, что когда окончательно примут все решения и таки наступит мир, ПРЕДМЕТ СПОРА будет уже никому не нужен.