VIMM (Violin Intelligent Memory Modules) и FFA (Flash Fabric Architecture) - то, на чем Violin строит свои All-Flash Array

    Компания Violin. All Flash Array строятся на платформе, в основе своей имеющей 2 ключевых пункта: Экосистема, она же FFA (Flash Fabric Architecture) и Модули памяти VIMM (Violin Intelligent Memory Modules).




    Структура FFA (Flash Fabric Architecture) на картинке. Классическая схема - двухконтроллерная отказоустойчивая система. Во внешний мир каждый контроллер смотрит двумя каналами - FC, IB, iSCSI - на выбор. Плюс, несколько служебных/управляющих портов. Каждый из установленных в систему модулей соединен с каждым контроллером двумя внутренними шинами (всего 4 в каждом модуле).

   


    FFA обеспечивает:

• ультранизкую и ПРЕДСКАЗУЕМУЮ задержку;
• стабильную производительность на смешанных нагрузках;
• высочайшую производительность. Поскольку каждый контроллер работает с порядка 8 000 физических устройств (чипов флеш-памяти), поток данных может быть сформирован гигантский. Управление, при этом, идет фоновыми процессами и на производительность системы никак не влияет;
• высокая доступность (все дублировано);
• экономичный дизайн. Ну, делаем поправку на область, в которой играем...

    Собственно, модули VIMM (Violin Intelligent Memory Modules)

    Чипы флеш располагаются на модулях с горячей заменой - intelligent flash management units (умные модули управления флеш). Они действительно умные и обеспечивают всю черновую работу, которой коммутаторам заниматься не с руки - аппаратный интерфейс к чипам памяти, сбор мусора, выравнивание износа и исправление ошибок.
    Контроллер модуля совместно с вышестоящим коммутатором обеспечивают избыточность хранения по фирменной технологии vRAID - аппаратное патентованное решение с на основе алгоритма RAID. Увеличивает надежность и уменьшает задержки.

    Модуль содержит:

• высокопроизводительный флэш контроллер 
• процессор управления 
• DRAM для метаданных 
• флеш-память NAND для хранения

http://www.violin-memory.com/architecture/

3D повсюду. 3D DDR уж полгода как у Samsung

    Пропустилось - не заметилось... А, оказывается, еще в августе 2014 Samsung пустил в производство 3D DDR чипы (и модули, соответственно), изготавливаемые по технологии Through Silicon Via (TSV), т.е., с соединениями между слоями "сквозь силикон". Это как в производстве многослойных печатных плат - отверстия по площади и металлизация внутри них насквозь. (Есть же еще технология с торцевыми межсоединениями).

    Слоев пока 2, планируется увеличивать это число. Оно, конечно, в два раза больше по емкости получается, в два раза меньше жрет и вдвое быстрее, чем традиционная однослойная память... Но в производстве дороже. По оценке Hynix - на 22%. Причем, удорожание касается сборки (+100%) и тестирования (+60%). Собственно, силикон получается дороже всего на 4% - информация на 2011 год.

    Конечный продукт - DDR4 RDIMM модуль емкостью 64 ГБ. Модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых содержит 4 кристалла DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Производство ведется по 20-нанометровому процессу.


http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=13602

3D NAND. Прорвало!

    Прямо-таки веер анонсов, пресс-релизов и прочего блестяще-сверкающего буквально за несколько дней!... "3D NAND шагает по планете" - как бы сказали в прошлом веке в новостях в 21-00.

    Идея повышения плотности размещения "вытягиванием" в третье измерение висела в воздухе, поэтому неудивительно, что все (а их пересчитать по пальцам) производители флеш-памяти выступили со своими 3D продуктами. Одновременно - это дабы не отстать от конкурентов к моменту, когда свет потухнет и надо будет воткнуть вилку в пельмень. "За нами следят!" - кто-то готовился первый, остальные подтянулись по срокам презентаций.
    Технологии производства и архитектура, при этом, различны. В силу дороговизны научно-исследовательских и опытных работ, при разработке образуются альянсы. Так, один из вариантов подготовлен совместно SanDisk и Toshiba, другую группировку образуют Micron Technology и Intel Corporation. Стоит заметить, что сейчас речь идет (по крайней мере, у SanDisk - Toshiba ) уже о втором поколении 3D чипов. Релизы в порядке перечисления:

ARM. В планах 20% серверного рынка к 2020

    ARM, обзаводясь все большим количеством ядер и обрастая архитектурой, активно претендует на расширение применений и все более значимую роль в датацентрах.
    В перспективе - по дороге заняв нишу в облаках - высокопроизводительные вычисления, онлайн аналитика, пресловутые БигДата... За пятилетку (к 2020 году) планируется занять 20% серверного силикона.

http://www.theregister.co.uk/2015/03/23/arm_plans_to_win_20_per_cent_of_the_server_market_by_the_year_2020/

Memblaze уже делает 3.2TB и обещает 6.4TB NVMe PCIe SSD через год

    PBlazeIV (уже 4-е поколение!) NVMe SSD накопителей представлено на Cebit компанией Memblaze.
    Линия имеет емкости от 800GB до 3.2TB и 2 варианта исполнения - PCIe карта или накопитель 2,5". Доступность - с мая 2015. Следом планируется выкатить PBlazeIV 900 серию емкостью до 6.4TB.

http://www.memblaze.com/Content/2015/03-16/1025096524.html

Санкции глубоко проникли в IT индустрию

Нежданно... Попытка перейти на сайт http://www.datacenterjournal.com/ привела к следующему сообщению на пустом экране:

Forbidden - Visitors from your country are not permitted to browse this site.

TrendForce: TLC NAND флеш займут 50% рынка в 4 квартале 2015

    DRAMeXchange разместила свой прогноз на близкую перспективу в области флеш накопителей. По мнению ресурса, активное продвижение на рынок TLC NAND в сочетании с более низкой ценой (80..85% от цены MLC) приведет к широкому использованию этого типа чипов флеш-памяти в конечных устройствах и занятию порядка 50% рынка уже в конце 2015 года. По оценке, сейчас показатель уже составляет 35..37%

http://www.dramexchange.com/WeeklyResearch/Post/2/4000.html