Не в укор основному движителю TLC NAND,..
Давно уже не было таких ярких проколов, выявленных по прошествии значительного времени после вывода продукта на рынок. Ситуация показала - насколько тяжело работать на передовой, насколько, подчас, сложно учесть влияние всех воздействующих факторов и предсказать результат.
С другой стороны - если уж проблема выявлена, причем не самостоятельно, а покупателем/пользователем - отчего же не отчитаться: "так и так, тут лоханулись, и вот тут не учли... Исправимся, больше так не будем!"
Предмет.
Компания Samsung первой подготовила к массовому выпуску и начала производить флеш память с трех-уровневыми ячейками.
Расшифровка и напоминание - "уровень" (level) в данном случае неправильно отражает суть и запутывает. Как таковых уровней, в которых может находиться ячейка памяти, на самом деле 2 в степени N, где N- и есть та "уровневость", что присутствует в названии технологии.
Одноуровневая (SLC, Single-level cell) способна хранить 1 бит информации (состояния 0 и 1).
То, что принято называть многоуровневой (MLC, Multi-level cell), на самом деле двух-уровневая ячейка. 4 состояния, 2 бита.
Тип ячейки и памяти, способный хранить 3 бита (TLC, Triple-level cell), может стабильно находиться в 8 различных состояниях. Т.е., "трех-уровневый" на самом деле также многоуровневый...
Так вот - с такой помпой выпущенные компанией Samsung SSD 840 и SSD 840 EVO, основанные на так же широко разрекламированной флеш TLC NAND, показали наличие проблем. Через довольно значительное время после сообщений от пользователей и обсуждений на форумах, компания нехотя их признала и пообещала все поправить, но до конца исправить ситуацию ей еще не удалось.
Проблемы.
Первая - резкое падение скорости чтения ячеек, хранящих информацию какое-то время. Падение в 10 (!!!) раз - до уровня затрапезного HDD. Какое время должно пройти до начала деградации - толком никто не представляет, все выявляется опытным путем. Кроется ли причина в принципе построения ячеек TLC, или это связано с конкретной партией чипов, конкретным техпроцессом фабрики - тоже четко не зафиксировано. Вроде бы вычислилось, что эффект проявляется на устройствах с чипами изготовленными по 19-нм техпроцессу (8 недель до деградации), но для устройств с 21-нм чипами деградация проявляется через 40 недель - это пользовательские данные, а не от компании.
Samsung выпустил обновление прошивки, якобы исправляющей дефект. Исследователи вычислили, что устройство теперь "втихаря", т.е. фоновым процессом перемещает информацию с "пожилых" блоков на свежие - тем самым отодвигает "день Д". Но при этом уменьшается ресурс SSD, про это нельзя забывать!.. И это не решает проблему принципиально.
Вторая. Не столь явно проявляющаяся и, может быть, не столь обсуждаемая, но от этого не теряющая своей актуальности - кошмарная зависимость все той же скорости чтения ячеек от температуры. Уж если стали под микроскопом рассматривать предмет - много чего интересного побочно выявляется!..
Цифры следующие: если при температуре 40 градусов Цельсия основная масса блоков читается со скоростью от 200 до 500 МБ/с, то "замороженный" до 15 градусов накопитель вдруг начинает выдавать от 50 (!) до максимум 350 МБ/с.
Все бы ничего, но Samsung с явной неохотой делится информацией. Кто виноват, что делать? Это "физику не обманешь" или локальный прокол? Есть ощущение, что это конкретная ошибка Samsung, поскольку Micron также производит TLC флеш, но по отношению к его продукции никто о деградации не заявлял.
Samsung потратил значительные деньги на продвижение 840 накопителей на рынок - тут и реклама, и победы во всевозможных тестах и сравнениях,... статьи... медали, вымпелы..
http://www.3dnews.ru/901747
http://www.techspot.com/article/997-samsung-ssd-read-performance-degradation/
Давно уже не было таких ярких проколов, выявленных по прошествии значительного времени после вывода продукта на рынок. Ситуация показала - насколько тяжело работать на передовой, насколько, подчас, сложно учесть влияние всех воздействующих факторов и предсказать результат.
С другой стороны - если уж проблема выявлена, причем не самостоятельно, а покупателем/пользователем - отчего же не отчитаться: "так и так, тут лоханулись, и вот тут не учли... Исправимся, больше так не будем!"
Предмет.
Компания Samsung первой подготовила к массовому выпуску и начала производить флеш память с трех-уровневыми ячейками.
Одноуровневая (SLC, Single-level cell) способна хранить 1 бит информации (состояния 0 и 1).
То, что принято называть многоуровневой (MLC, Multi-level cell), на самом деле двух-уровневая ячейка. 4 состояния, 2 бита.
Тип ячейки и памяти, способный хранить 3 бита (TLC, Triple-level cell), может стабильно находиться в 8 различных состояниях. Т.е., "трех-уровневый" на самом деле также многоуровневый...
Так вот - с такой помпой выпущенные компанией Samsung SSD 840 и SSD 840 EVO, основанные на так же широко разрекламированной флеш TLC NAND, показали наличие проблем. Через довольно значительное время после сообщений от пользователей и обсуждений на форумах, компания нехотя их признала и пообещала все поправить, но до конца исправить ситуацию ей еще не удалось.
Проблемы.
Первая - резкое падение скорости чтения ячеек, хранящих информацию какое-то время. Падение в 10 (!!!) раз - до уровня затрапезного HDD. Какое время должно пройти до начала деградации - толком никто не представляет, все выявляется опытным путем. Кроется ли причина в принципе построения ячеек TLC, или это связано с конкретной партией чипов, конкретным техпроцессом фабрики - тоже четко не зафиксировано. Вроде бы вычислилось, что эффект проявляется на устройствах с чипами изготовленными по 19-нм техпроцессу (8 недель до деградации), но для устройств с 21-нм чипами деградация проявляется через 40 недель - это пользовательские данные, а не от компании.
Samsung выпустил обновление прошивки, якобы исправляющей дефект. Исследователи вычислили, что устройство теперь "втихаря", т.е. фоновым процессом перемещает информацию с "пожилых" блоков на свежие - тем самым отодвигает "день Д". Но при этом уменьшается ресурс SSD, про это нельзя забывать!.. И это не решает проблему принципиально.
Вторая. Не столь явно проявляющаяся и, может быть, не столь обсуждаемая, но от этого не теряющая своей актуальности - кошмарная зависимость все той же скорости чтения ячеек от температуры. Уж если стали под микроскопом рассматривать предмет - много чего интересного побочно выявляется!..
Цифры следующие: если при температуре 40 градусов Цельсия основная масса блоков читается со скоростью от 200 до 500 МБ/с, то "замороженный" до 15 градусов накопитель вдруг начинает выдавать от 50 (!) до максимум 350 МБ/с.
Все бы ничего, но Samsung с явной неохотой делится информацией. Кто виноват, что делать? Это "физику не обманешь" или локальный прокол? Есть ощущение, что это конкретная ошибка Samsung, поскольку Micron также производит TLC флеш, но по отношению к его продукции никто о деградации не заявлял.
Samsung потратил значительные деньги на продвижение 840 накопителей на рынок - тут и реклама, и победы во всевозможных тестах и сравнениях,... статьи... медали, вымпелы..
http://www.3dnews.ru/901747
http://www.techspot.com/article/997-samsung-ssd-read-performance-degradation/
Комментариев нет:
Отправить комментарий