Показаны сообщения с ярлыком Toshiba. Показать все сообщения
Показаны сообщения с ярлыком Toshiba. Показать все сообщения

четверг, 1 июня 2017 г.

Toshiba продаст флеш бизнес

    Идет драка за право выкупить бизнес памяти у Toshiba.
    Во втором раунде примут участие:
- WDC примкнул к Innovation Network Corp. чтобы иметь возможность не нарушая законов и правил Японии участвовать в конкурсе. Как говорил наш великий вождь - "главное ввязаться в драку", дальше - со временем, планируется создать специальную компанию и на нее перекупить полученные активы.
-  SK Hynix в тендерной группе Bain. Менеджеры SK уже два года готовят сделку с Toshiba, оказывается..
- И - кто бы мог подумать - Broadcom!!!

   Если для WDC, так же, как для SK Hynix овладение активами Toshiba будет расширением и консолидацией уже имеющегося своего, то для всепроникающего Broadcom - это что? Для каких целей, как говорится, домашнему животному из рода горных козлов русский народный язычковый кнопочно-пневматический музыкальный инструмент с полным хроматическим звукорядом на правой клавиатуре???

   В недалеком прошлом не известная широкой публике Avago, сменившая по ходу несколько имен,  все больше уподобляется несущейся лавине. Последнее ( неизвестно, сколько времени продержится) - Broadcom. А последняя громкая покупка - Brocade. Видимо - чтобы не путали... (шутка!).

среда, 24 августа 2016 г.

Новый саммит Flashmemorysummit - новые рекорды. 100TB SSD Toshiba - начнем производство хоть сейчас!

http://www.theregister.co.uk/2016/08/10/toshiba_100tb_qlc_ssd/

   Toshiba хоть сейчас готов производить 100-терабайтные накопители SSD на чипах с технологией Quad-level cell (QLC) http://www.theregister.co.uk/2016/07/28/qlc_flash_primer/
   Сей монстр емкости готов потреблять в активном состоянии лишь 9Вт. В спящем - 100мВт.

четверг, 6 августа 2015 г.

Toshiba представит технологию многослойной магнитной записи

    Компания Toshiba представит технологию многослойной магнитной записи. Специального имени у технологии/метода нет (или оно не озвучено). Возможно, это будет что-то вроде 3D HDD.
    Оно понятно - если некуда уменьшать размеры ячейки в плоскости, для увеличения плотности записи надо увеличивать количество ячеек в третьем измерении, добавляя слои. Дабы не испортить информацию в соседних слоях, состав каждого делается различным. Запись производится с ассоциированным микроволновым излучением и каждый слой имеет свою, несколько отличную частоту ферромагнитного резонанса. Мощности микроволнового излучателя не достаточно для перемагничивания слоя, не совпадающего по частоте феррорезонаса.
   В настоящее время, Toshiba имеет прототип с двумя слоями.

    Исследование и разработка выполнены в рамках Strategic Innovation Promotion Program в Японском агентстве науки и техники (JST ) и будет представлен 8 июля 2015 года 20-й Международной конференции по магнетизму в Барселоне, Испания.

http://www.toshiba.co.jp/rdc/rd/detail_e/e1507_01.html

среда, 5 августа 2015 г.

Toshiba Corporation и SanDisk объявили о готовности к производству 48-слойной 3D флеш-памяти

   4 августа 2015 Toshiba одновременно с SanDisk представили новое поколение BiCS FLASH™ - многослойной объемной (3D) флеш-памяти.
Вот таким небоскребом
выглядит 48-слойная BiCS
   Чипы, содержщие 48 слоев TLC (трехуровневых) ячеек памяти в общей сложности хранят 256 гигабит (32 гигабайт) информации.
   Пробные партии обещают в сентябре 2015. Массовое производство планируется в первой половине 2016.

http://www.storagenewsletter.com/rubriques/solid-state-ssd-flash-key/toshiba-develops-first-256gb-48-layer-bics-flash/
http://toshiba.semicon-storage.com/ru/company/news/2015/08/memory-20150804-1.html
http://www.sandisk.com/about-sandisk/press-room/press-releases/2015/sandisk-announces-48-layer-3d-nand/

среда, 8 апреля 2015 г.

Toshiba и STT-MRAM. Как минимум - кэш процессора, как максимум - ВСЯ ПАМЯТЬ КОМПЬЮТЕРА

    STT-MRAM.
По скорости ее опережает только дорогенная SRAM.
Энергонезависима (как NAND флеш)
Нет необходимости в регенерации, в отличии от DRAM
Нет драматического износа (как NAND флеш)

Из недостатков - бОльший необходимый для MRAM размер ячейки, чем, допустим, в DRAM. Это обусловлено физикой. Частично проблема решается технологией STT-MRAM, размеры ячейки в которой более близки к размерам DRAM.

    История MRAM по нынешним меркам древняя. Wiki приводит ретроспективу, зачатки датированы аж 1955 годом! В течение столь долгого пути физикой и технологией пытались заниматься многие компании. Toshiba - одна из немногих компаний, последовательно вкладывающих деньги в столь перспективную технологию в течение ряда лет. Возможно, оно окупится сторицей.
    Информационную поддержку оказывает ресурс http://www.mram-info.com 

    Вместе с очередным успехом на технологическом фронте, Toshiba начала прощупывать почву на возможных перспективных полянах.

    "Не пора ли, друзья мои, нам замахнуться на ... Вильяма нашего, Шекспира?? "
Поскольку по результатам испытаний, Toshiba добилась на новых 1-мегабитных STT-MRAM чипах задержки доступа всего в 3,3 наносекунды (что сравнимо с SRAM) при на 80% большей

понедельник, 6 апреля 2015 г.

3D NAND. Прорвало!

    Прямо-таки веер анонсов, пресс-релизов и прочего блестяще-сверкающего буквально за несколько дней!... "3D NAND шагает по планете" - как бы сказали в прошлом веке в новостях в 21-00.

    Идея повышения плотности размещения "вытягиванием" в третье измерение висела в воздухе, поэтому неудивительно, что все (а их пересчитать по пальцам) производители флеш-памяти выступили со своими 3D продуктами. Одновременно - это дабы не отстать от конкурентов к моменту, когда свет потухнет и надо будет воткнуть вилку в пельмень. "За нами следят!" - кто-то готовился первый, остальные подтянулись по срокам презентаций.
    Технологии производства и архитектура, при этом, различны. В силу дороговизны научно-исследовательских и опытных работ, при разработке образуются альянсы. Так, один из вариантов подготовлен совместно SanDisk и Toshiba, другую группировку образуют Micron Technology и Intel Corporation. Стоит заметить, что сейчас речь идет (по крайней мере, у SanDisk - Toshiba ) уже о втором поколении 3D чипов. Релизы в порядке перечисления:

понедельник, 22 декабря 2014 г.

    17 декабря 2014 Toshiba с небольшим запаздыванием от конкурентов, вывел на рынок свой 6-терабайтный накопитель, заняв почетное третье место.  :)

    6-блиновые НЖМД MG04 серии имеют 3,5" формфактор и 12-гб интерфейс. Для оптимизации производительности, накопители поддерживают как стантартный 4k размер сектора, так и расширенный - 512e.


http://toshiba.semicon-storage.com/content/dam/toshiba-ss/ncsa/en_us/docs/press-releases/MG04_6TB_Release.pdf