MRAM (MagnetoResistive Random-Access Memory)
Магниторезистивная оперативная память. Разрабатывается с 1990-х годов.В простейшем случае, каждая ячейка лежит между двумя линиями записи, размещёнными под прямым углом друг к другу, одна над, а другая под ячейкой. Требуются относительно большие токи, С уменьшением размера элемента, индуцированное поле перекрывает соседние ячейки. Из-за этого в памяти MRAM данного типа необходимо использовать ячейки достаточно большого размера. Одним из экспериментальных решений этой проблемы было использование доменов, читаемых и записываемых с помощью эффекта гигантского магнитного сопротивления, но исследования в этом направлении более не проводятся. Техпроцесс порядка 180 нм и более.
Технология, переноса спинового момента (spin-torque-transfer-STT) или переключение с помощью переноса спина. Уменьшает величину тока, необходимую для записи информации в ячейку памяти. Техпроцесс 65 нм.
Магниторезистивная память имеет быстродействие, сравнимое с памятью типа SRAM, т.к. ее не надо регенерировать, как DRAM. Такую же плотность ячеек, как SRAM. Меньшее энергопотребление, чем у памяти типа DRAM опять-таки из-за отсутствия регенерации. Она более быстрая и не страдает деградацией по прошествии времени в сравнении с флэш-памятью.