С конца.
На мероприятии GLOBAL FOUNDRIES Technical Conference 2016 будет продемонстрирован самый быстрый в мире SSD. Устоявшаяся скорость записи сего накопителя 1,5 миллиона IOPS. Выполнен он в конструктиве NVMe PCIe SSD (само собой - ну, а как еще обеспечить поступление данных с подобной скоростью на входе?). В чем секрет таких скоростей? В основе накопителя новsе 256Мб чипы памяти перпендикулярной ST-MRAM, разработанные Everspin.
Теперь с начала.
http://www.mram-info.com/stt-mram
STT-MRAM, также называемый STT-RAM, ST-MRAM или ST-RAM - передовой тип устройств магнитной записи.
STT-MRAM имеет потенциал, чтобы стать ведущей технологией хранения данных, посткольку это запоминающее устройство:
- высокой производительности (в потенциале - быстрее памяти DRAM и даже SRAM);
- плотности (могут производиться по нормам значительно ниже 10нм);
- низкой стоимости (могут бросить вызов стоимости производства флэш-памяти);
... и не забываем - память в основе магнитная, т.е. - ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ и произвольного доступа (Random-Access Memory)!
Просто чудесные свойства, не правда ли?
Исследованиями и разработками устройств MRAM занимается ряд компаний, в числе которых: IBM, Samsung, Everspin, Avalanche Technologies, Spin Transfer Technologies, Crocus.
STT - Spin-transfer torque. Эффект , при котором ориентация магнитного слоя в магнитных туннельных переходах (или спиновом клапане) может быть изменена с помощью спин-поляризованного тока.
Электрический ток создается движением носителей заряда - электронов, имеющим свойство, известное как спин, которая является малой величиной углового момента, присущего носителю. Электрический ток, как правило, не поляризован, т.е. состоит из равного количества частиц с противоположными спинами (не уверен - как правильно склоняется это слово). Спин-поляризованный ток создается большим количеством электронов с одинаковым спином.
При пропускании тока через толстый магнитный слой (обычно называемый
"фиксированный слой", Fixed Layer), можно создать спин-поляризованный ток.
Если этот спин-поляризованный ток направлен (через не-магнитный, "барьерный слой", Barrier Layer - отсюда возникает слово "туннель") во второй, более тонкий
магнитный слой ( "свободный слой", Free Layer), угловой момент может быть передан в
этот слой, изменяя его ориентацию. Это может привести к возбуждению колебаний или даже изменению направления намагниченности. Эффекты, как правило, можно увидеть только в нанометровом масштабе устройств (в нанотехнологиях мы разве еще не впереди планеты всей??).
Собственно, схема перпендикулярной pMTJ STT-MRAM ячейки памяти довольно сложная (приводится в сравнении со структурой планарной (MTJ) ячейки):
9 августа 2016 Everspin заявил о готовности отгружать пробные партии 256МБ чипов
EMD3D256MB, произведенных по технологии перпендикулярной, pMTJ STT-MRAM. Это уже третье поколение технологии.
9 сентября 2016 Aupera Technologies анонсировала готовый продукт - SSD в формате M.2. 128МБ модуль Aup-AXL-M128 будет использован в качестве носителя в All-Flash СХД компании. (Что-то не сходится в емкости представленных устройств, или компании путаются в показаниях?...)
http://www.auperatech.com/news/aupera-reveals-mram-enabled-m-2-storage-module-based-everspins-newest-256mb-perpendicular-spin-torque-mram/ - видимо, он и будет представлен на вышеупомянутом шоу.
Другие типы современной памяти наряду с STT-MRAM и некоторые тренды упрощенно описаны тут и тут
PS У технологии, несмотря на предельную новизну, уже появился конкурент - "spin–orbit torque", или SOT. Продолжение следует...
PPS Это кажется - что подобные устройства столь далеки... Как оказалось - несложный поиск приведет к отечественным поставщикам электронных компонентов, в каталоге которых есть модули MRAM от Everspin
На мероприятии GLOBAL FOUNDRIES Technical Conference 2016 будет продемонстрирован самый быстрый в мире SSD. Устоявшаяся скорость записи сего накопителя 1,5 миллиона IOPS. Выполнен он в конструктиве NVMe PCIe SSD (само собой - ну, а как еще обеспечить поступление данных с подобной скоростью на входе?). В чем секрет таких скоростей? В основе накопителя новsе 256Мб чипы памяти перпендикулярной ST-MRAM, разработанные Everspin.
Теперь с начала.
http://www.mram-info.com/stt-mram
STT-MRAM, также называемый STT-RAM, ST-MRAM или ST-RAM - передовой тип устройств магнитной записи.
STT-MRAM имеет потенциал, чтобы стать ведущей технологией хранения данных, посткольку это запоминающее устройство:
- высокой производительности (в потенциале - быстрее памяти DRAM и даже SRAM);
- плотности (могут производиться по нормам значительно ниже 10нм);
- низкой стоимости (могут бросить вызов стоимости производства флэш-памяти);
... и не забываем - память в основе магнитная, т.е. - ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ и произвольного доступа (Random-Access Memory)!
Просто чудесные свойства, не правда ли?
Исследованиями и разработками устройств MRAM занимается ряд компаний, в числе которых: IBM, Samsung, Everspin, Avalanche Technologies, Spin Transfer Technologies, Crocus.
STT - Spin-transfer torque. Эффект , при котором ориентация магнитного слоя в магнитных туннельных переходах (или спиновом клапане) может быть изменена с помощью спин-поляризованного тока.
Электрический ток создается движением носителей заряда - электронов, имеющим свойство, известное как спин, которая является малой величиной углового момента, присущего носителю. Электрический ток, как правило, не поляризован, т.е. состоит из равного количества частиц с противоположными спинами (не уверен - как правильно склоняется это слово). Спин-поляризованный ток создается большим количеством электронов с одинаковым спином.
Собственно, схема перпендикулярной pMTJ STT-MRAM ячейки памяти довольно сложная (приводится в сравнении со структурой планарной (MTJ) ячейки):
9 августа 2016 Everspin заявил о готовности отгружать пробные партии 256МБ чипов
EMD3D256MB, произведенных по технологии перпендикулярной, pMTJ STT-MRAM. Это уже третье поколение технологии.
9 сентября 2016 Aupera Technologies анонсировала готовый продукт - SSD в формате M.2. 128МБ модуль Aup-AXL-M128 будет использован в качестве носителя в All-Flash СХД компании. (Что-то не сходится в емкости представленных устройств, или компании путаются в показаниях?...)
http://www.auperatech.com/news/aupera-reveals-mram-enabled-m-2-storage-module-based-everspins-newest-256mb-perpendicular-spin-torque-mram/ - видимо, он и будет представлен на вышеупомянутом шоу.
PS У технологии, несмотря на предельную новизну, уже появился конкурент - "spin–orbit torque", или SOT. Продолжение следует...
PPS Это кажется - что подобные устройства столь далеки... Как оказалось - несложный поиск приведет к отечественным поставщикам электронных компонентов, в каталоге которых есть модули MRAM от Everspin