Seagate покупает Dot Hill Systems

   18 августа 2015 Seagate сообщил о намерении купить Dot Hill Systems.
   Все по плану, "чистых" производителей HDD уже нет. Каждый из них набрал по портфелю решений в системах хранения. Фокус смещается в пользу решений. Накопитель HDD в недалеком будущем (если вообще не исчезнет, как устаревший класс устройств) будет восприниматься как "деталь", не имеющая особенной самостоятельной ценности. При покупке холодильника, ведь, никто не задумывается о типе и принципе действия компрессора...

http://www.seagate.com/ru/ru/about-seagate/news/seagate-technology-to-acquire-dot-hill-systems-pr/

Mellanox и SSD - прямая связь? Прямая! И очень быстрая.

   11 августа 2015 компания Mellanox опубликовала пресс-релиз о преимуществах передачи данных в высокопроизводительных системах хранения своим оборудованием.

   Речь идет о Flash Memory Summit, проходящем в Santa Clara, Калифорния. Компания Mellanox и сотоварищи (коих на форуме, как минимум, 9) демонстрируют решения в области хранения, основанные на сети с ультранизкими задержками (Spectrum 10/25/40/50/100Gb/s Ethernet коммутатор) и адаптерах с Remote Direct Memory Access, RDMA (ConnectX-4 100Gb/s Ethernet).

    "Высочайшая производительность твердотельных систем хранения требует адекватно высокой производительности от техлогии межсоединений". Вполне логично. Попутно - как обычно - утверждается, что решение позволяет снизить стоимость владения системой.

   Решения, представленные на форуме:
Apeiron представит Apeiron Data Fabric™ (стенд #819);
HGST демонстрирует доступ к памяти типа Phase-change memory (PCM) посредством сети  EDR 100Gb/s InfiniBand с задержкой доступа менее 2 микросекунд (стенд #647);
Серверы NMX-series с накопителями, поддерживающими технологию NVMe over Fabrics и хранилище Mangstor, объединенные сетью хранения SAN на базе Mellanox показывают производительность в миллионы IOPS (стенд #649);
Memblaze показывает сетевой доступ NVMe Over Fabrics к устройству NVMe с высочайшей скоростью и минимальными задержками посредством сочетания RDMA Over Converged Ethernet (RoCE) и InfiniBand  (стенд #319),
То же решение показывает дуэт Micron и PMC-Sierra (сренд #213);
Micron и Saratoga Speed демонстрируют экстремально скоростной доступ к флеш-хранилищу по протоколу iSCSI over RDMA (iSER) (стенд #517),
NetApp EF560 flash array с интерфейсом iSER + Mellanox FDR 56Gb/s InfiniBand  (стенд #511);
PMC-Sierra показывает новую технологию реплицирования NVRAM через RDMA сеть  (стенд #213);
Samsung Semiconductor использует оборудование Mellanox для демонстрации преимуществ нового поколения своих изделий NVMe (стенд #307);
...

Scientists at Rice University разработал весьма перспективную технологию твердотельной памяти - графен-оксид тантала.

   Scientists at Rice University разработал технологию создания ячеек памяти на основе графена и оксида тантала.

   Преимущества:

• В 100 раз большая энергоэффективность, чем в существующих технологиях;
• Ячейка очень проста по структуре и требует всего 2 электрода, что дает большой потенциал в плотности упаковки;
• Простота структуры позволяет производить многослойные модули (3D) без дополнительных диодов и развязывающих элементов, что делает технологию еще более привлекательной с точки зрения плотности упаковки ячеек.

http://www.mram-info.com/graphene-and-tantalum-enables-new-kind-high-density-efficient-memory

Diablo Technologies, Inc.представила Memory1 - энергонезависимую память в формате DIMM, в 4 раза большей емкости, чем DRAM

   Компания Diablo Technologies представила следующую свою разработку - Memory1. Видимо, в названии намек на исключительность и ассоциацию с F1..   :)
   Энергонезависимая флеш память в формате DIMM, может устанавливаться в стандартный слот вместо модулей оперативной памяти DDR4.
   Memory1 модули могут иметь в четыре раза большую емкость, чем существующие DRAM - заявляется 256GB на один модуль.

   Решение будет представлено на Flash Memory Summit 11-13 августа в Santa Clara.

   P.S. Надо надеяться, что эта разработка окажется лицензионно чистой...

http://www.diablo-technologies.com/memory1/

Supermicro представил 1U 4-GPU решение

   11 августа 2015 компания Supermicro представила платформу размера 1U с возможностью установить до 4шт ускорителей.
   Наряду с другими новинками, плфторма будет представлена на SIGGRAPH 2015 в Лос-Анжелесе.

SYS-1028GQ-TR

   Платформа SYS-1028GQ-TR и TRT с интегрированным 2-канальным 10G Ethernet контроллером упакована экстремально плотно. 2 процессора Intel E5-xxxx v3, 16 слотов под модули памяти (до 1ТБ модулями 64ГБ LRDIMM) до 4 ускорителей. Помимо интегрированного борту 2-канального гигабитного контроллера (10-гигабитного в варианте TRT), есть возможность расширить систему двумя PCI-E 3.0 x8 (в x16 разъемах) LP картами.
   Корпус, при этом, имеет двойной дублированный блок питания с горячей заменой (по 2кВт каждый).
   Дисковая система ограничена двумя отсеками с горячей заменой под 2,5" накопители + возможность установить 2 внутренних накопителя 2,5". Оно и понятно - с одной стороны, зачем молотилке дисковая?, с другой - все пространство уже использовано...

   GPU устанавливаются: 3шт в отсеки сразу за вентиляторами передней панели, 1шт - сзади (задний левый угол, где обычно расположены карты расширения).

   Решение нацелено на высокопроизводительные системы обработки данных.

http://www.supermicro.nl/newsroom/pressreleases/2015/press150811_Siggraph.cfm
http://www.supermicro.nl/white_paper/white_paper_1U_4GPU_Server.pdf

Toshiba представит технологию многослойной магнитной записи

    Компания Toshiba представит технологию многослойной магнитной записи. Специального имени у технологии/метода нет (или оно не озвучено). Возможно, это будет что-то вроде 3D HDD.

    Оно понятно - если некуда уменьшать размеры ячейки в плоскости, для увеличения плотности записи надо увеличивать количество ячеек в третьем измерении, добавляя слои. Дабы не испортить информацию в соседних слоях, состав каждого делается различным. Запись производится с ассоциированным микроволновым излучением и каждый слой имеет свою, несколько отличную частоту ферромагнитного резонанса. Мощности микроволнового излучателя не достаточно для перемагничивания слоя, не совпадающего по частоте феррорезонаса.
   В настоящее время, Toshiba имеет прототип с двумя слоями.

    Исследование и разработка выполнены в рамках Strategic Innovation Promotion Program в Японском агентстве науки и техники (JST ) и будет представлен 8 июля 2015 года 20-й Международной конференции по магнетизму в Барселоне, Испания.

http://www.toshiba.co.jp/rdc/rd/detail_e/e1507_01.html

Seagate и Micron Technology создали альянс для производства SAS SSD энтерпрайз класса

   Созданный в феврале 2015 альянс Seagate и Micron Technology нацелен на разработку SAS SSD накопителей для промышленного сектора.
   Первой ласточкой является накопитель Seagate® 1200.2 SAS SSD, который будет демонстрироваться на Flash Memory Summit в Santa Clara на этой неделе. Как будет обозначаться конечный продукт, дошедший до покупателя, не очень понятно. У Майкрон сей накопитель обозначается "S600DC Series"

  Отличительные черты накопителя:

• Лидирующая емкость - до 4ТБ накопитель в формате 2,5 дюйма;
• Двухпортовый SAS интерфейс позволяет использовать накопитель в высокопроизводительных дисковых системах с двойным доступом;
• Новое поколение защиты данных при пропадании питания - Power Loss Protection (PLP);
• Развитие системы обнаружения/восстановления ошибок в чипах в купе с дублированием путей доступа интерфейса повышает класс надежности хранения;
• Три встроенных уровня безопасности - Secure Diagnostics and Download (SD&D), Seagate SecureTM Self-Encrypting Drive (SED) и FIPS.

   Внешний интерфейс - SAS 12Gb/s
   Производительность достигает 1800 MB/s (мегабайт/с) на случайном чтении.

http://www.seagate.com/ru/ru/about-seagate/news/new-sas-solid-state-drive-first-product-from-seagate-micron-alliance-master-pr/
http://www.micron.com/products/solid-state-storage/bus-interfaces/sas-ssds/micron-seagate-s600dc-series-sas-ssds

Toshiba Corporation и SanDisk объявили о готовности к производству 48-слойной 3D флеш-памяти

   4 августа 2015 Toshiba одновременно с SanDisk представили новое поколение BiCS FLASH™ - многослойной объемной (3D) флеш-памяти.

Вот таким небоскребом

выглядит 48-слойная BiCS

   Чипы, содержщие 48 слоев TLC (трехуровневых) ячеек памяти в общей сложности хранят 256 гигабит (32 гигабайт) информации.
   Пробные партии обещают в сентябре 2015. Массовое производство планируется в первой половине 2016.

http://www.storagenewsletter.com/rubriques/solid-state-ssd-flash-key/toshiba-develops-first-256gb-48-layer-bics-flash/
http://toshiba.semicon-storage.com/ru/company/news/2015/08/memory-20150804-1.html
http://www.sandisk.com/about-sandisk/press-room/press-releases/2015/sandisk-announces-48-layer-3d-nand/